Q
技術(shù)報(bào)告里參數(shù)指標(biāo)總被說(shuō)不聚焦怎么辦？
A
別把規(guī)格書(shū)整頁(yè)搬進(jìn)來(lái)。只留跟本次驗(yàn)證強(qiáng)相關(guān)的參數(shù)，比如做溫漂測(cè)試，就盯住“-40℃~85℃范圍內(nèi)的輸出偏移量”，其他電壓范圍、封裝尺寸全砍掉。每個(gè)參數(shù)后面跟一句“為何選此值”，比如“該閾值依據(jù)客戶現(xiàn)場(chǎng)最大干擾幅值設(shè)定”。參數(shù)表底下加一行小字：本表僅列本次驗(yàn)證相關(guān)項(xiàng)。
新手常犯的誤區(qū)
參數(shù)表照抄芯片手冊(cè)，幾十項(xiàng)全堆上，重點(diǎn)參數(shù)淹沒(méi)在無(wú)關(guān)數(shù)據(jù)里
高分寫(xiě)作經(jīng)驗(yàn)
熱門(mén)篇幅區(qū)間
適用對(duì)象
應(yīng)用工程師、客戶對(duì)接工程師、認(rèn)證工程師、采購(gòu)技術(shù)評(píng)估員、工藝工程師
推薦寫(xiě)法
數(shù)據(jù)顯示，有27.5%的用戶認(rèn)為，首選的寫(xiě)法是參數(shù)篩選以本次驗(yàn)證目標(biāo)為唯一篩子，39.7%%的用戶傾向選擇4000-4600字，而30.8%%的用戶選擇3400-3900字，20.8%%選擇4700-5200字。新手最容易踩的坑是參數(shù)表照抄芯片手冊(cè)，幾十項(xiàng)全堆上，重點(diǎn)參數(shù)淹沒(méi)在無(wú)關(guān)數(shù)據(jù)里
寫(xiě)技術(shù)報(bào)告最多搜索的問(wèn)題
- 1?快速解決技術(shù)報(bào)告里故障分析該寫(xiě)多細(xì)才算到位？細(xì)到能讓維修工照著拆第三顆螺絲。
- 2?快速解決技術(shù)報(bào)告中術(shù)語(yǔ)第一次出現(xiàn)怎么交代才自然？別搞括號(hào)解釋，更別單開(kāi)一段定義。
- 3??精華回答技術(shù)報(bào)告的故障分析部分總被說(shuō)沒(méi)深度？寫(xiě)故障，先寫(xiě)現(xiàn)象特征，再寫(xiě)排查順序，最后寫(xiě)根因證據(jù)鏈。
- 4??用戶推薦技術(shù)報(bào)告里實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)怎么擺才不亂？數(shù)據(jù)往那兒一扔就完事？糊弄誰(shuí)呢。
- 5?快速解決技術(shù)報(bào)告的版本修訂記錄總被說(shuō)不規(guī)范？表格列五欄：版本號(hào)、日期、修訂人、修改內(nèi)容、影響范圍。
- 6??用戶推薦技術(shù)報(bào)告中英文縮寫(xiě)第一次出現(xiàn)怎么處理才合規(guī)？第一次出現(xiàn)必須寫(xiě)全稱加括號(hào)縮寫(xiě)，像“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）”。
- 7??精華回答技術(shù)報(bào)告里圖表編號(hào)老是混亂怎么理順？編號(hào)按出現(xiàn)順序走，圖1、圖2、表1、表2，不按章節(jié)分。
- 8??用戶推薦技術(shù)報(bào)告里背景介紹老被說(shuō)像百度百科怎么辦？背景不是科普講座。
- 9??熱門(mén)回答技術(shù)報(bào)告里術(shù)語(yǔ)太多審稿人看不懂怎么辦？術(shù)語(yǔ)不是勛章，是攔路石。
- 10??熱門(mén)回答技術(shù)報(bào)告里引用別人成果該怎么寫(xiě)才不侵權(quán)？提別人名字時(shí)，緊跟著寫(xiě)他哪年干了什么、用什么方法、得出什么硬結(jié)果，不加評(píng)價(jià)。
